離子、電子成像探測(cè)器
離子、電子成像探測(cè)器用于帶電粒子的探測(cè)和成像，可用于對(duì)目標(biāo)粒子的分布進(jìn)行探測(cè)。
離子、電子成像探測(cè)器用于帶電粒子的探測(cè)和成像，可用于對(duì)目標(biāo)粒子的分布進(jìn)行探測(cè)。
探測(cè)器讀出主要包括熒光屏讀出和位敏陽(yáng)極讀出，采用熒光屏讀出時(shí)可以和CCD耦合構(gòu)成ICCD?！?/span>
技術(shù)指標(biāo) | |
探測(cè)目標(biāo) | 電子/離子等帶電粒子 |
探測(cè)能量 | 0.1～30keV |
探測(cè)面積（直徑） | Ф18～Ф100mm |
空間分辨率 | 20lp/mm |
讀出方式 | 熒光屏/位敏陽(yáng)極 |